PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指等离子体增强化学的气相沉积法。等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。

　　沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。    　

激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。    　　

等离子体增强化学气相沉积的主要优点：    　　

沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少，不易龟裂；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。