HiPIMS--高离化率

HiPIMS在高峰值电流500-1000A下，对金属靶材Ti，Cr，Cu，Ta，TiAl，CrAl等形成高离化率辉光，离化率能达到80%以上。

HiPIMS--高结合力

HiPIMS高离化率配合脉冲偏压电源同步实现对金属离子的能量与分布进行调控，对基底进行金属离子刻蚀清洗，实现在金属和陶瓷、玻璃、光纤等绝缘基底实现高结合力，TiN在高速钢划痕结合力85N，在陶瓷基底金属化Cu结合力测试达到115N/mm2。

HiPIMS--高致密性

HiPIMS高离化率使得在沉积硬质涂层与金属涂层时，更易调控金属离子对膜层的轰击，能实现膜层的高致密性生长，与传统DC/MF模式比较，膜层断面致密光滑；在光纤金属化焊接后，密封性能测试能达到4.4*10-9 Pa.m3/s。

HiPIMS--高绕射性（3D镀膜均匀性）

HiPIMS电源在瞬间形成高峰值电流，形成高密度等离子体，使得异性工件成膜均匀性大幅提升，在侧面、凹孔、通孔等形状内部也能形成均匀致密涂层；HiPIMS技术沉积孔内侧壁处膜层致密光滑，孔内金属层方块电阻更均匀且更低。

HiPIMS--微深孔镀膜能力

HiPIMS形成超高密度等离子体与脉冲偏压的脉冲同步配合，通过金属离子溅射沉积和刻蚀方式实现微深孔内壁金属化（孔径40um，孔深500um）；在陶瓷微孔（深径比为12）内壁金属化膜层均匀致密，接近垂直生长。

HiPIMS--高亮度

HiPIMS形成超高密度等离子体，实现靶材和反应气体的高离化率，得到高致密和表面光滑膜层。HiPIMS制备TiN亮度L值达到76.3，高于传统MF亮度值8个点。TiCN玫瑰金亮度L值达到65，接近多弧装饰镀亮度值。

HiPIMS--刃口低损伤DLC涂层

HiPIMS超高离化率在脉冲偏压等离子体鞘层作用下，膜层在刃口处均匀包裹生长，能保持刃口锋利度；结合PECVD方法制备低损伤DLC涂层，硬度1500Hv，摩擦系数低于0.15，HSS结合力HF1，掺杂Ag，Cu具备抗菌效果。

HiPIMS--光学镀膜领域

HiPIMS溅射靶材与反应气体高离化率，使Ti、Nb、Si靶与氧气反应溅射不会靶中毒，不存在迟滞曲线现象；制备的光学薄膜其致密度高，折射率相对更高，成膜的应力底。