在HiPIMS磁控溅射中能产生高达1000A的峰值电流，能对金属靶材产生高的离化率，由于脉冲占空比低1-10%，其平均功率与普通磁控溅射一致，不会增加靶材冷却量。因此HiPIMS技术综合了磁控溅射低温沉积，膜层表面光滑特性与电弧离子镀高离化率，膜基结合力强，膜层致密的优点，在控制涂层微观组织、降低涂层内应力，增强韧性，提高膜层平整性方面具有显著优势。

新铂HiPIMS技术优势

新铂创始人从2008年开始率先在国内开展HiPIMS电源及技术研究，自主开发HiPIMS复合DC电源，同时配合HiPIMS脉冲与脉冲偏压的同步技术，结合等离子体特点，可精准调控溅射过程中的离子原子比，实现特定膜层结构的控制生长。

1、自主开发HiPIMS复合DC电源技术

定制化高能脉冲复合电源，实现高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）的超高密度等离子体产生的高金属离化率，同时复合直流磁控溅射（DCMS）的高溅射速率，具备快速灭弧（2uS）可控复合波形，可灵活控制溅射材料的离子原子比，实现控制膜层生长，实现高致密性兼顾高沉积速率。

2、HiPIMS与脉冲偏压脉冲同步技术

   HiPIMS电源配合自主开发的80K脉冲偏压电源，可以灵活调控偏压电源与HiPIMS电源的脉冲同步，实现对金属离子精准控制，避免Ar离子等杂质离子对膜层的轰击，进一步降低膜层应力，增强膜层韧性。

3、HiPIMS特定工艺定制开发能力

   针对不同行业的特殊应用，可以基于20年的HiPIMS电源开发及HiPIMS工艺经验，从材料出发，基于等离子体体底层为客户定制不同的电源复合波形，配合磁控溅射等离子体源，到量产整机定制，提供整套解决方案。目前已在医疗行业表面改性、陶瓷金属化、及低损伤DLC、刀具刃口行业实现应用。