High Power Impulse Magnetron Sputtering（HiPIMS）是高功率脉冲磁控溅射技术，最早由1999年瑞典Kouznetsov等开发采用功率脉冲作为磁控溅射的供电模式，在保持相同平均功率，通过缩短脉冲电源的脉冲时间到30-300us，同时控制脉冲频率在100-1000Hz，使得瞬间峰值功率增加三个数量级（如下图所示），从而产生超高密度（1018至1019 m-3）等离子体，比传统DCMS和MFMS等离子体密度（1014至1015 m-3）提升3到4数量级。

HiPIMS技术原理：