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高功率脉冲磁控溅射技术简介（下）
在磁控溅射技术中，可以通过控制沉积参数的变化，转移到成膜粒子的能量，从而调控薄膜性质28。在为生长膜提供能量的各种方法中，电离物质的轰击被广泛使用29,30。
HiPIMS利器新应用-高熵合金薄膜制造
高熵合金氮化物薄膜是一种基于高熵合金设计理念的产物，在热力学和动力学上可以分别具有更低的吉布斯自由能和更小的元素扩散速率，抑制了金属间化合物有序相的生成，促进简单固溶体结构甚至非晶相的形成。
采用脉冲直流PECVD工艺在长管内沉积DLC膜层
管道作为一种流体运输工具，管道内表面经常暴露在复杂的介质中。这些流体中存在的污染物或腐蚀性元素会导致管道内壁腐蚀破损，每年都会造成巨大的经济损失。
利用HiPIMS制备出的Ti-Si-N薄膜硬度可以达到66GPa！
Ti-Si-N是被认为是一种高硬度的膜层，Veprek（1999）提出了一种结构模型，认为是非晶包含纳米晶结构。这有点类似于我们见到的沥青和石头混合路面结构。这里的纳米晶尺寸和非晶含量的多少是很讲究的。太多不行，太少也不行。
双极HiPIMS调控薄膜生长过程中的离子能量
高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）相比传统直流磁控溅(DCMS)，HiPIMS具有高等离子体密度、高金属离化率，更高的离子流密度。但对于优异的薄膜生长来说，仅有高离子流密度还远远不够，为获得更快的生长速率与致密的膜层质量，到达基底的离子能量也至关重要。
HiPIMS脉冲波形对辉光放电特性的影响
HiPIMS电源属于脉冲电源的一种，通过降低占空比到低于10%，在相同功率情况下，可以使得磁控溅射峰值电流三个数量级的增加，本文将介绍脉冲波形对于辉光放电特性的影响，为控制不同靶材辉光特性及工艺优化提供参考。