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双极HiPIMS调控生长高致密性铜薄膜
正如前文“双极HiPIMS调控薄膜生长过程中的离子能量”中我们讲到对于HiPIMS放电在负向脉冲放电完成后加一定正向脉冲，可以提高HiPIMS放电后的等离子体电势，从而加速到达基底的离子的能量，提高薄膜生长速率与质量。
管筒内壁真空镀膜方法简介
管筒内表面处理的方式最早采用的是电镀方法，但电解液污染环境。后来采用真空镀膜方法来处理管状构件内表面，包括化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相沉积( Physical Vapor Deposition，PVD)。
六甲基二硅氧烷（HMDSO）前驱体制备耐腐蚀薄膜
金属制品是生活中不可或缺的，大到轮船飞机，小到铁钉螺丝。现代工业的发展，是以金属为骨骼，但是金属在使用过程中极易腐蚀。防腐蚀工艺有很多种，真空镀膜就是其一。
HiPIMS靶材溅射速率
HiPIMS由于高峰值电流及其高离化率，可以得到性能优异的致密膜层，伴随而来的HiPIMS溅射速率也会相对更低，本文将分析HiPIMS溅射速度低的原因及可能的改进方法。
HiPIMS自组织放电高分辨光谱影像学
因磁场约束，以及超高功率放电，高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）在放电过程中会存在局部放电增强而导致辉光闪烁的不稳定现象。当不稳定辉光存在时，其放电状态也有很大差异，辉光会形成不同的放电组织和斑图形式。伴随着这些增强型斑图辉光放电，其内部粒子成分放电状态如激发与电离存在差异，如何直观研究这些变化，高分辨光谱影像学是一种有效的手段，可直观观察不稳定区域的放电形式与变化。
直流偏压对HMDSO制备C：SiOX膜层性能的影响
HMDSO制备C：SiOX膜层具有优异的耐腐蚀性能，上篇讲到HMDSO/O2比例对膜层成分，耐腐蚀性能与硬度影响。在整个镀膜过程中，偏压也是影响HMDSO制备的C：SiOX膜层性能的因素之一。
钢管内壁沉积的类金刚石膜层的耐腐蚀性能
类金刚石碳(DLC)涂层具有高耐磨性、摩擦系数极低、耐腐蚀性高的优良性能。由于这些优良的性能，DLC涂层在石油天然气、半导体、医疗和汽车等行业中引起了广泛的关注。