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Ti-Si-N是被认为是一种高硬度的膜层，Veprek（1999）提出了一种结构模型，认为是非晶包含纳米晶结构。这有点类似于我们见到的沥青和石头混合路面结构。这里的纳米晶尺寸和非晶含量的多少是很讲究的。太多不行，太少也不行。

高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）相比传统直流磁控溅(DCMS)，HiPIMS具有高等离子体密度、高金属离化率，更高的离子流密度。但对于优异的薄膜生长来说，仅有高离子流密度还远远不够，为获得更快的生长速率与致密的膜层质量，到达基底的离子能量也至关重要。

HiPIMS电源属于脉冲电源的一种，通过降低占空比到低于10%，在相同功率情况下，可以使得磁控溅射峰值电流三个数量级的增加，本文将介绍脉冲波形对于辉光放电特性的影响，为控制不同靶材辉光特性及工艺优化提供参考。

正如前文“双极HiPIMS调控薄膜生长过程中的离子能量”中我们讲到对于HiPIMS放电在负向脉冲放电完成后加一定正向脉冲，可以提高HiPIMS放电后的等离子体电势，从而加速到达基底的离子的能量，提高薄膜生长速率与质量。

管筒内表面处理的方式最早采用的是电镀方法，但电解液污染环境。后来采用真空镀膜方法来处理管状构件内表面，包括化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相沉积( Physical Vapor Deposition，PVD)。

金属制品是生活中不可或缺的，大到轮船飞机，小到铁钉螺丝。现代工业的发展，是以金属为骨骼，但是金属在使用过程中极易腐蚀。防腐蚀工艺有很多种，真空镀膜就是其一。

HiPIMS由于高峰值电流及其高离化率，可以得到性能优异的致密膜层，伴随而来的HiPIMS溅射速率也会相对更低，本文将分析HiPIMS溅射速度低的原因及可能的改进方法。

HiPIMS电源在高致密性硬质涂层中有很好工业化利用，但是光学应用中的案例还不多，本文将介绍HiPIMS反应溅射模式下的特性。