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HiPIMS反应溅射制备SiO2-Ta2O5光学干涉膜

在Si靶和Ta靶氧反应溅射时,用合适的HiPIMS脉冲参数可以抑制进气迟滞回线,在没有气体控制器下也能保证工艺稳定性。

HiPIMS有无局部离化区的放电对比研究

高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)因磁场约束放电,其靶材附近的放电形式变化多样。放电的不稳定性,等离子体均匀性,等离子体的磁约束情况都是非常值得研究的内容,如等离子体局部离化,电子逃逸等导致的等离子体形状变化如条形斑图,环状斑图等。

不同前驱体气体对DLC膜层的影响

在DLC膜层制备的过程中,都会使用到烃类的前驱体气体,而不同的前驱体对膜层的性能有着不同的影响。