一、HiPIMS复合DC技术介绍

使用定制化高能脉冲复合电源，实现高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）的超高密度等离子体产生的高金属离化率，同时复合直流磁控溅射（DCMS）的高溅射速率，直接在陶瓷/玻璃/光纤基板表面沉积金属导电层。可灵活控制溅射材料的离子原子比，实现控制膜层生长，实现高致密性兼顾高沉积速率。

二、核心技术

针对金属Cu，Ti，Cr，W等材质，定制化高能脉冲复合等离子电源，个性化控制膜层生长；

根据客户要求定制化柱状等离子体源和平面等离子体源，实现兼顾成本及效率提升；

特定优化的等离子体增强表面活化，结合力最高达115N/mm2；

三、技术优势

1、高结合强度

传统陶瓷基底上需镀制Cr,Ti,W等打底层，以增强与陶瓷基底的结合力。针对特定需求，开发陶瓷基板表面直接镀铜技术，能满足高结合力要求，拉拔测试铜膜从陶瓷基底脱落，最高结合力达到115N/mm2.

2、高致密

定制化高能脉冲复合等离子体电源配合优化的等离子体源，制备Cu膜形态致密，断面没有明显晶界孔洞等缺陷，高致密铜膜结合力高，能制备超厚铜膜。

3、高表面平整性

特殊基底表面活化技术部损伤陶瓷基板粗糙度，沉积过程中，离子原子比灵活调控，能得到高平整度膜层表面，表面粗糙度能达到Ra=0.025um。

4、耐热抗氧化性及焊接性能

陶瓷金属化之后，铜膜400℃直接焊锡测试，焊接完之后，把锡液熔化，焊面平整光滑，未发生任何气泡。经395℃焊锡之后，上锡率能保证在95%以上，还能保持结合强度不发生退化。

5、微深孔覆盖能力

四、应用领域

应用于高端陶瓷/玻璃封装基板，实现高导热，高工作频率，工作温度，高结合强度等特殊应用要求，同时对封装基板复杂3D结构，微深孔实现均匀覆盖；光纤金属化，实现宇航级高密封性能，高结合强度，高低温的等应用场景；铁氧体及钛酸镁等陶瓷基底金属化，实现高焊接性能，高频信号传输等应用。

陶瓷金属化涂层介绍：

技术特点：

1、AEGD离子源清洗+HiPIMS技术制备Nb2O5,SiO2等，膜基结合力高。

3、HiPIMS+DC复合技术，反应溅射不中毒，工艺窗口宽。

4、HiPIMS技术高离化率，膜层致密，折射率高，Si3N4折射率高达2.17。

微孔内SEM电镜

内孔DLC涂层

陶瓷金属化涂层应用实例：

陶瓷镀铜断面

陶瓷微深孔金属化

陶瓷产品涂层

大面积陶瓷DLC涂层