耗散功率竟然能影响铜溅射等离子体的行为！

　　本文研究了在铜溅射等离子体中耗散功率对其影响的实验结果。通过光发射光谱技术进行测量，探讨了耗散功率对铜溅射等离子体的物理特性和行为的影响。

　　通过实验结果发现，耗散功率的增加导致铜溅射等离子体中的电子温度和密度的增加。此外，还观察到了溅射过程中的辐射特性和粒子输运行为的变化。

　　本研究还对铜溅射等离子体中的耗散功率与溅射过程参数之间的关系进行了分析。结果表明，耗散功率与溅射速率和溅射效率之间存在着一定的关联。此外，还研究了溅射过程中的能量传输和粒子输运机制。如图1所示，通过改变氩气/反应气混合物的组成，可以控制薄膜相组成由金属Cu变为CuO。

　　图1. XRD衍射图，在不同浓度的氩气/氧气混合物下获得的样品：a 100% Ar + 0% O2, b 90% Ar + 10% O2, c 80% Ar + 20% O2, d 0% Ar + 100% O2。用VESTA软件模拟a Cu、b Cu2O和c、d CuO相的晶胞.

　　通过改变氩气/反应气体混合物的组成，可以控制薄膜的化学计量组成，从金属Cu到Cu2O和CuO。发射光谱法可以很容易地适应于任何磁控溅射沉积室，而不会干扰真空系统，提供了控制沉积膜的相、透射率和其他参数的可能性，这使得该方法在氧化铜沉积过程中非常有用。

　　Kevin low, Nafarizal nayan, et al. Influence of dissipation power in copper sputtering plasma measured by optical emission spectroscopy, Advanced Materials Research, 832 (2014) 243-