1
新闻中心

短时多脉冲HiPIMS技术&低偏压、低应力的DLC薄膜

DOMS(短时多脉冲HiPIMS技术)的18个连续短振荡显著减少了离子回吸,并利用脉冲间残留等离子体促进再点燃,使到达基底的碳离子流密度提高至4倍,从而实现离子辅助沉积。