HiPIMS:简单的方法就能调控磁控溅射中的金属/气体离子比?
1)磁控溅射:HiPIMS中简单的脉宽变化,就能调控膜层中的金属/气体离子比。
2)常规的磁控靶换成HiPIMS电源就可以达到上述效果。
不平凡的钒靶HiPIMS(放电区直径约30mm放电电流达140A)
金属钒(V)作为一种高熔点的稀有金属材料,常与铌、钽、钨、钼并称为难熔金属。金属钒具有耐盐酸和硫酸的性能,并且耐气-盐-水腐蚀的性能要比大多数不锈钢好。在某些特殊的重要场合,金属V薄膜常被用来作为高温隔离防护涂层,因此开展V靶HIPIMS放电特性方面的研究工作具有重要的意义。
6种靶材HiPIMS放电大不相同,设计工艺要知道!
HiPIMS放电,由于工作在放电曲线的特殊区域,其放电特性不仅依赖于使用的气压、电压,更依赖于靶材。更由于HiPIMS工作模式是脉冲工作,其放电特性具有时间特征,而表现出不同的放电特性。这里我们选用常用的几种靶材(Cu,Cr,Mo,Ti,V和C),给出了他们的放电特性。这种与时间相关的放电特性,对于工艺设计是非常重要的。
高引燃脉冲新HiPIMS模式下薄膜摩擦系数可降低到0.25
多层薄膜能显著改善复杂环境下部件的性能和寿命,为获得性能良好的膜层,研发团队提出了一种高引燃脉冲新HiPIMS放电技术。增加引燃脉冲的个数,强化了膜层的结合力,硬度以及摩擦磨损的性能。
新HiPIMS放电模式制备薄膜表面粗糙度仅为4.123nm
为获得HiPIMS的高离化率-高沉积速率技术特征,我们在研究中提出一种新型的HiPIMS放电模式,即电-磁场协同增强HiPIMS技术,该技术以外置电场和磁场双场协同增强常规HiPIMS放电,增加溅射粒子离化率,改善薄膜的的沉积速率,制备的膜层性能优异。