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真空镀膜技术的基本原理

真空镀膜技术是气相物理沉积的方法之一，也称为真空镀膜。在真空条件下，涂层材料被蒸发器加热升华，蒸发的颗粒直接流向基底，在基底表面沉积一层固体薄膜。

请问，HiPIMS高能磁控电源输出线有什么注意事项？

一、电源输出线离腔体尽量近，电源线尽量短

为了保证脉冲电流波引入到真空腔体时波形不畸变，且衰减小。期望在系统中，脉冲电镀电源与真空腔体的距离2-3m为佳，长线易对脉冲电流波形的上升、下降沿产生较大的影响，真空腔体打火时，灭弧效果有影响。

真空镀膜一种由物理方法产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。

早期真空镀膜是依靠蒸发体自然散射，结合差工效低光泽差。现在加上中频磁控溅射靶用磁控射靶将膜体的蒸发分子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜，解决了过去自然蒸发无法加工的膜体品种，如镀钛镀锆等等。

蒸发速率的大小对沉积膜层的影响比较大。由于低的沉积速率形成的涂层结构松散易产大颗粒沉积，为保证涂层结构的致密性，选择较高的蒸发速率是十分安全的。

高熵合金氮化物薄膜是一种基于高熵合金设计理念的产物，在热力学和动力学上可以分别具有更低的吉布斯自由能和更小的元素扩散速率，抑制了金属间化合物有序相的生成，促进简单固溶体结构甚至非晶相的形成。

高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)，由Kouznetsov1等人于1999年提出，是在脉冲功率技术的基础上发展起来的一种极有前途的磁控溅射技术。

在磁控溅射技术中，可以通过控制沉积参数的变化，转移到成膜粒子的能量，从而调控薄膜性质28。在为生长膜提供能量的各种方法中，电离物质的轰击被广泛使用29,30。