HIPiMS技术,真空镀膜,镀膜工艺,镀膜电源,表面改性,真空设备,DLC涂层 - 新闻动态

在Si靶和Ta靶氧反应溅射时，用合适的HiPIMS脉冲参数可以抑制进气迟滞回线，在没有气体控制器下也能保证工艺稳定性。

高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）因磁场约束放电，其靶材附近的放电形式变化多样。放电的不稳定性，等离子体均匀性，等离子体的磁约束情况都是非常值得研究的内容，如等离子体局部离化，电子逃逸等导致的等离子体形状变化如条形斑图，环状斑图等。

在DLC膜层制备的过程中，都会使用到烃类的前驱体气体，而不同的前驱体对膜层的性能有着不同的影响。

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真空磁控溅射涂层技术不同于真空蒸发涂层技术。溅射是指核能颗粒轰击固体表面（目标），使固体原子或分子从表面射出的现象。

磁控溅射可分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。直流(DC)磁控溅射与气压在一定范围内的溅射提高了电离率(尽可能小保持较高的电离率)，提高了均匀度增加了压力又保证了薄膜的纯度，