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HiPIMS放电制备纯金属薄膜的优势
HiPIMS（High-Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脉冲磁控溅射）它在制备纯金属薄膜方面展现出了显著的优势。下面列举了一些主要的优点：
HIPIMS放电等离子体特性
通过脉冲电源产生高密度等离子体来溅射靶材，从而在基材上沉积高质量的薄膜。HIPIMS技术相比于传统的直流磁控溅射技术，能够提供更高的离子化率、更好的薄膜质量和更强的薄膜与基底间的附着力。下面我们来探讨HIPIMS放电等离子体的主要特性。
HIPIMS技术沉积TiSiN纳米复合涂层探究
HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脉冲磁控溅射）薄膜沉积方法，它在沉积TiSiN纳米复合涂层方面展现出显著的优势。与传统的直流磁控溅射（DCMS）技术相比，
hipims脉冲电源与DC优势
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）脉冲电源与DC（Direct Current）电源相比，在多个方面展现出显著的优势。以下是对这些优势的详细分析：
HIPIMS技术在金属双极板涂层中的应用
HIPIMS技术，即高功率脉冲磁控溅射技术（High Power Impulse Magnetron Sputtering），在金属双极板涂层中的应用具有显著的优势
利用HiPIMS制备出的Ti-Si-N薄膜硬度可以达到66GPa！
Ti-Si-N是被认为是一种高硬度的膜层，Veprek（1999）提出了一种结构模型，认为是非晶包含纳米晶结构。这有点类似于我们见到的沥青和石头混合路面结构。这里的纳米晶尺寸和非晶含量的多少是很讲究的。