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镀膜工艺技术分类和理论
镀膜工艺技术分为真空蒸发镀膜、电阻式蒸发镀膜、电子束蒸发镀膜等。
真空蒸发镀膜是把待镀膜的基片或工件置于高真空室内，通过加热使成膜材料气化（或升华）而淀积到基片或工件表面上，从而形成一层薄膜的工艺过程。
HIPiMS技术高能磁控电源输出线有什么注意事项？
一、电源输出线离腔体尽量近，电源线尽量短为了保证脉冲电流波形引入到真空腔体时波形不畸变，且衰减小。期望在系统中，脉冲电镀电源与真空腔体的距离2-3m为佳，长线易对脉冲电流波形的上升、下降沿产生较大的影响，真空腔体打火时，灭弧效果有影响。二、正负极导线使用同轴线缆或者双绞屏蔽脉冲电源的输出衔接，导线间的电感效应越小越好。因而阴、阳极导线最好的办法就是同轴无感线缆。
耗散功率竟然能影响铜溅射等离子体的行为！
本文研究了在铜溅射等离子体中耗散功率对其影响的实验结果。通过光发射光谱技术进行测量，探讨了耗散功率对铜溅射等离子体的物理特性和行为的影响。
通过实验结果发现，耗散功率的增加导致铜溅射等离子体中的电子温度和密度的增加。此外，还观察到了溅射过程中的辐射特性和粒子输运行为的变化。
一文读懂溅射沉积技术
溅射镀膜是指在真空室中，利用荷能粒子轰击靶材表面，通过粒子动量传递打出靶材中的原子及其它粒子，并使其沉淀在基体上形成薄膜的技术。溅射镀膜技术具有可实现大面积快速沉积，薄膜与基体结合力好，溅射密度高、针孔少，膜层可控性和重复性好等优点，而且任何物质都可以进行溅射，因而近年来发展迅速，应用广泛。
HiPIMS：简单的方法就能调控磁控溅射中的金属/气体离子比？
1）磁控溅射：HiPIMS中简单的脉宽变化，就能调控膜层中的金属/气体离子比。
2）常规的磁控靶换成HiPIMS电源就可以达到上述效果。
不平凡的钒靶HiPIMS（放电区直径约３０ｍｍ放电电流达１４０Ａ）
金属钒（V）作为一种高熔点的稀有金属材料，常与铌、钽、钨、钼并称为难熔金属。金属钒具有耐盐酸和硫酸的性能，并且耐气-盐-水腐蚀的性能要比大多数不锈钢好。在某些特殊的重要场合，金属V薄膜常被用来作为高温隔离防护涂层，因此开展V靶HIPIMS放电特性方面的研究工作具有重要的意义。