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阴极弧放电不同反应气体等离子体对阴极的腐蚀研究

阴极弧放电已被经常用于沉积不同的金属膜,除常用的Ar用于直接溅射靶材沉积相应的金属薄膜外,含氮、含氧的薄膜也经常在沉积过程中通过掺入O2和N2进行放电来获得。不同于单质Ar等离子体放电,N2与O2属于反应性气体,等离子体过程更加复杂,因此在阴极弧表面形成不同的放电形式。

真空镀膜技术的基本原理

真空镀膜技术的基本原理

真空镀膜技术是气相物理沉积的方法之一,也称为真空镀膜。在真空条件下,涂层材料被蒸发器加热升华,蒸发的颗粒直接流向基底,在基底表面沉积一层固体薄膜。

请问,HiPIMS高能磁控电源输出线有什么注意事项?

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一、电源输出线离腔体尽量近,电源线尽量短

为了保证脉冲电流波引入到真空腔体时波形不畸变,且衰减小。期望在系统中,脉冲电镀电源与真空腔体的距离2-3m为佳,长线易对脉冲电流波形的上升、下降沿产生较大的影响,真空腔体打火时,灭弧效果有影响。

镀膜电源在真空镀膜(磁控溅射)中,脉冲偏压电源为什么比直流电源好?

真空镀膜一种由物理方法产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。

镀膜工艺生产和质量控制要点

早期真空镀膜是依靠蒸发体自然散射,结合差工效低光泽差。现在加上中频磁控溅射靶用磁控射靶将膜体的蒸发分子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜,解决了过去自然蒸发无法加工的膜体品种,如镀钛镀锆等等。

影响真空镀膜性能的因素有哪些?

蒸发速率的大小对沉积膜层的影响比较大。由于低的沉积速率形成的涂层结构松散易产大颗粒沉积,为保证涂层结构的致密性,选择较高的蒸发速率是十分安全的。

真空磁控溅射涂层技术与真空蒸发涂层技术的区别

真空磁控溅射涂层技术不同于真空蒸发涂层技术。溅射是指核能颗粒轰击固体表面(目标),使固体原子或分子从表面射出的现象。

磁控溅射技术分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射,分别有何作用?

磁控溅射可分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。直流(DC)磁控溅射与气压在一定范围内的溅射提高了电离率(尽可能小保持较高的电离率),提高了均匀度增加了压力又保证了薄膜的纯度,